RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
86
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
86
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1658
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link