RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2922
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link