RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2922
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-032.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link