RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2528
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link