RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link