RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2676
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link