RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2865
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link