RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3090
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link