RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3587
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link