RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3827
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link