RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
54
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3264
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link