RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2841
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link