RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2408
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link