RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
54
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2082
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link