RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3366
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link