RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3419
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link