RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2449
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link