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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
54
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2388
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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