RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
54
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2310
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link