RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3715
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link