RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
94
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
1506
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link