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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
54
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3045
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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