RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
63
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2553
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link