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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
8.1
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2553
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
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