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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
10.6
13.0
写入速度,GB/s
6.8
9.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2586
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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