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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
11.0
写入速度,GB/s
7.4
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1908
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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