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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
18.2
15.7
写入速度,GB/s
14.9
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2491
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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