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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
16.4
14.4
写入速度,GB/s
10.5
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
2511
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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