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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
99
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
99
读取速度,GB/s
15.3
14.4
写入速度,GB/s
9.8
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
1386
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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