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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
75
读取速度,GB/s
11.7
13.6
写入速度,GB/s
7.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1457
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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