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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
63
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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