RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
63
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
1968
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link