RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
63
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
59
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1968
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link