RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3628
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link