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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
8.1
18.2
写入速度,GB/s
7.5
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3628
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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