RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Super Talent F24EB8GS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent F24EB8GS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3017
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link