RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
63
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2328
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link