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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
63
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
57
读取速度,GB/s
8.1
20.1
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2328
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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