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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
1,569.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
77
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
77
66
读取速度,GB/s
3,405.2
3,316.1
写入速度,GB/s
2,622.0
1,569.0
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
472
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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