Comparaison de la RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Note globale

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,622.0 1,569.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

66 77

Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

6400 5300

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns