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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2672
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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