Comparación de la memoria RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Puntuación global

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,622.0 1,569.0

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

66 77

En -17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns