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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

総合得点
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
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Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 1,569.0
    テスト平均値
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    66 left arrow 77
    周辺 -17% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 3,316.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 1,569.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 472

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