Confronto tra le RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,622.0 1,569.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

66 77

Intorno -17% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

6400 5300

Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns