RAM-Vergleich Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Gesamtnote

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,622.0 1,569.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

66 77

Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

6400 5300

Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns