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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
35
读取速度,GB/s
4,241.0
15.2
写入速度,GB/s
1,950.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2705
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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