RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
star star star star star
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB 需要考虑的原因
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 49
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.8 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 18.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3649

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
内存RAM
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
内存RAM