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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
10.1
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3649
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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