RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
66
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1760
2901
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link