RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
2764
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link